El proyecto financiado con fondos comunitarios NANOXIDE («Dispositivos novedosos a nanoescala basados en interfaces de óxido de tipo funcional») presta apoyo a investigadores europeos y sirve de motivación para físicos de los Estados Unidos para que, juntos, den lugar a la próxima generación de dispositivos nanoelectrónicos. Se trata de un Proyecto Específico de Investigación Focalizado (PEIF) que ha recibido fondos por valor de 2,97 millones de euros mediante el Sexto Programa Marco (6PM). Los resultados del estudio realizado por estos científicos se han publicado en la revista Science.
Los dispositivos tendrán un tamaño de sólo dos nanómetros, lo cual, para hacerse una idea, es la anchura de la hélice de ADN. La investigación realizada en el marco del proyecto NANOXIDE está encaminada a hallar métodos para aprovechar las propiedades de las interfaces o superficies de contacto entre diversos óxidos y, de esta forma, crear una nueva electrónica a escala nanométrica.
Esta iniciativa es extraordinaria porque sus socios han conseguido establecer una plataforma que es capaz de crear una electrónica muy variada, desde dispositivos de memoria de gran densidad hasta los codiciados transistores y procesadores informáticos. Para alcanzar este grado de creatividad y diversidad se partió de la labor realizada anteriormente por un equipo de investigadores de la Universidad de Augsburgo (Alemania) y la Universidad de Pittsburgh (Estados Unidos).
La multitud de usos conseguida tiene su origen en una técnica ideada por ese mismo equipo que permite crear nanoestructuras reescribibles en la superficie de contacto entre dos materiales aislantes. Lo que ahora han logrado estos investigadores es demostrar en la práctica las numerosas aplicaciones que ofrece este proceso.
Jeremy Levy, catedrático de física y astronomía de la Facultad de Artes y Ciencias de la Universidad de Pittsburgh y coautor del artículo, explicó: «Hemos demostrado que podemos hacer realidad estas importantes tecnologías con un tamaño considerablemente menor que el de los dispositivos actuales, basándonos en el mismo material.»
Según el profesor Levy, se trata de un avance que tendrá muchas aplicaciones en el futuro. «Para que pueda mantenerse la tendencia de fabricar ordenadores más rápidos y de menor tamaño, es probable que durante la próxima década tengamos que abandonar gradualmente los materiales empleados actualmente», indicó. «Los bits de memoria que contienen los discos duros magnéticos prácticamente han tocado techo en cuanto a tamaño. Cada vez va a ser más difícil miniaturizar los transistores de silicio. Usando el mismo material, hemos conseguido dar un paso adelante al aumentar la capacidad de almacenaje y procesamiento; hemos elevado la fabricación de electrónica a una dimensión de flexibilidad totalmente nueva.»
En el artículo publicado se pone de relieve que la técnica en cuestión permite crear aparatos nanoelectrónicos a medida que pueden modificarse o simplemente borrarse sin necesidad de recurrir a complejos procedimientos.
Cabe señalar que esta técnica se puede adaptar a los transistores de efecto de campo (FET), que son un tipo de semiconductor que se considera uno de los pilares básicos de la informática y la electrónica. Los científicos han logrado fabricar un transistor denominado SketchFET cuyo asombroso tamaño es de tan sólo 2 nanómetros, más pequeño que el transistor de silicio más avanzado actualmente, que tiene 45 nanómetros.
Cabe señalar que esta técnica se puede adaptar a los transistores de efecto de campo (FET), que son un tipo de semiconductor que se considera uno de los pilares básicos de la informática y la electrónica. Los científicos han logrado fabricar un transistor denominado SketchFET cuyo asombroso tamaño es de tan sólo 2 nanómetros, más pequeño que el transistor de silicio más avanzado actualmente, que tiene 45 nanómetros.
El nuevo transistor ya ha despertado el interés de muchas empresas del sector. Alexander Bratkovsky, científico experto del laboratorio de sistemas informáticos y cuánticos de HP Labs (oficina central de investigaciones de Hewlett-Packard) sintió una gran curiosidad por este dispositivo.
«Las características de corriente de canal y voltaje del SketchFET se asemejan mucho a las de un transistor de silicio, por lo que parecen prometedoras. Su simplicidad es asombrosa. Los transistores suelen apilarse en numerosas capas. Me parece interesantísima la idea de utilizar una única interfaz de óxido enterrado y formar estructuras como si se dibujara su estructura en un espacio bidimensional», aseguró el Sr. Bratkovsky. «Se trata de una investigación admirable que se antoja muy prometedora para el campo de la electrónica y los sensores. Es un indicio de que podrían conseguirse otros avances y usos interesantes de las interfaces de óxidos con una movilidad extremadamente elevada de los vectores situados cerca de la interfaz.»
La idea básica de este proceso surgió de una visita realizada por el profesor Levy a la Universidad de Augsburgo, donde el profesor Jochen Mannhart y su alumno Stefan Thiel (coautores del trabajo) le enseñaron la manera en que la interfaz íntegra podía pasar de un estado conductor a un estado aislante. Al profesor Levy se le ocurrió la posibilidad de aplicar este proceso en dimensiones nanométricas y su alumno y coautor, Cheng Cen, materializó el concepto.
Ver blogger original: http://nubia-anc.blogspot.com/
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